Yarıiletken basınç sensörleri iki kategoriye ayrılabilir, biri stres altında yarı iletken PN bağlantı (veya Schottky Kavşağı) değişiminin i-υ özelliklerinin değiştiği prensibe dayanmaktadır. Bu basınca duyarlı elemanın performansı çok kararsızdır ve büyük ölçüde geliştirilmemiştir. Diğeri, yarı iletken basınç sensörünün ana çeşidi olan yarı iletken piezoresistif etkiye dayanan sensördür. İlk günlerde, yarı iletken gerinim göstergeleri çoğunlukla çeşitli stres ve gerinim ölçüm cihazları yapmak için elastik elementlere bağlandı. 1960'larda, yarı iletken entegre devre teknolojisinin geliştirilmesiyle, piezoresistif element olarak difüzyon direncine sahip bir yarı iletken basınç sensörü ortaya çıktı. Bu tür basınç sensörü basit ve güvenilir bir yapıya, göreceli hareketli parçalara sahip değildir ve sensörün basınca duyarlı eleman ve elastik eleman entegre edilir, bu da mekanik gecikmeyi ve sürünmeyi önleyen ve sensörün performansını geliştirir.

Yarıiletken yarı iletkenin piezoressistif etkisi, dış kuvvet ile ilişkili bir özelliğe sahiptir, yani direnci (ρ sembolü ile temsil edilir), piezoresistif etki olarak adlandırılan stresle değişir. Birim stres etkisi altındaki nispi direnç değişikliğine, π sembolü ile ifade edilen piezoresistif katsayı denir. Matematiksel olarak ρ/ρ = π σ olarak ifade edilir.

Burada σ stresi temsil eder. Stres altında yarı iletken direncinin neden olduğu direnç değerinin (r/r) değişmesi esas olarak direnci değişikliği ile belirlenir, bu nedenle piezoresistif etkinin ekspresyonu da r/r = πσ olarak yazılabilir.

Dış kuvvetin etkisi altında, yarı iletken kristallerde belirli stres (σ) ve suş (ε) üretilir ve aralarındaki ilişki, materyalin Young modülü (y), yani y = σ/ε tarafından belirlenir.

Piezoresistif etki, yarı iletken üzerindeki suşla ifade edilirse, r/r = gε'dır.

G, birim suşu altındaki direnç değerinin nispi değişimini temsil eden basınç sensörünün duyarlılık faktörü denir.

Piezoresistif katsayı veya duyarlılık faktörü, yarı iletken piezoresistif etkinin temel fiziksel parametresidir. Aralarındaki ilişki, tıpkı stres ve suş arasındaki ilişki gibi, gençlerin malzeme modülü, yani g = π y tarafından belirlenir.

Elastikiyette yarı iletken kristallerin anizotropisi nedeniyle, Young modülü ve kristal yönelim ile piezoresistif katsayı değişimi. Yarı iletken piezoresistif etkinin büyüklüğü de yarı iletkenin direnci ile yakından ilişkilidir. Direnç ne kadar düşük olursa, duyarlılık faktörü o kadar küçük olur. Difüzyon direncinin piezoresistif etkisi, difüzyon direncinin kristal yönü ve safsızlık konsantrasyonu ile belirlenir. Safsızlık konsantrasyonu esas olarak difüzyon tabakasının yüzey safsızlık konsantrasyonunu ifade eder.